Módulo emissor de luz TOSA Montagem-Osubsíndice ptical
TOSA, abreviação de Transmissor Optical Subassembly, chinês é um sub-módulo de emissão leve. A principal aplicação é converter sinais elétricos em sinais ópticos (conversão de E/O), e os indicadores de desempenho incluem potência óptica e limiar.
O módulo de transmissão óptica é dividido em um módulo de transmissão óptica de modo único e um módulo de transmissão óptica multi-modo. A arquitetura geral do produto inclui um sub-montagem óptico (OSA) e um sub-montagem eletrônico (ESA). Primeiro, a porção epitaxial é feita de arsênio de gálio (GaAs), fosfito de índio (InP), arsênio de gárgio indium (InGaAs), etc. como material emissor de luz e foto-detectante, e deposição de vapor à base de metal (Deposição Química de Vapor Metal-Orgânico; MOCVD). ), etc., para fazer o wafer Lei. No processo do chip, o wafer é polido e transformado em diodo laser. Posteriormente, o diodo laser, com um filtro, uma tampa metálica e outros componentes, é embalado em uma lata TO (Transmissor Outline pode), e então a lata TO e a manga cerâmica são embaladas em um sub-módulo óptico (OSA). Finalmente, o subsíndice eletrônico (ESA) está incluído, e o subsíndice eletrônico inclui duas ICs de condução para dirigir e receber o diodo laser e o diodo fotodetectizador, de modo que o módulo de transmissão óptica seja combinado.
O subtrótulo óptico pode ser subdividido ainda mais em uma Submontagem Óptica transmissora (TOSA) e uma Submontagem Óptica receptora (ROSA).
Os principais indicadores de desempenho do TOSA são o valor óptico de energia (Po), comprimento de onda central (λc) e assim por diante. A potência óptica é geralmente em mW (ou uW), por exemplo, Po = 0,5 mW; o comprimento de onda da unidade do comprimento de onda central é nm, e os comprimentos de onda comuns são λc = 850 nm, λc = 1310 nm, λc = 1490 nm, λc = 1550 nm, e afins.
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